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Luogo di origine: | La CINA |
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Marca: | Huixin |
Certificazione: | ISO9001, ISO4001, IATF16949, UL |
Numero di modello: | BSS138 |
Quantità di ordine minimo: | 3000pcs |
Prezzo: | Negotiable |
Imballaggi particolari: | 3000pcs/bobina |
Tempi di consegna: | 4-5weeks |
Termini di pagamento: | T/T, MoneyGram |
Capacità di alimentazione: | 1 miliardo pezzi di mese |
Tipo: | MOSFET di N-Manica 50-V (D-S) | materiale: | Silicio |
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Pacchetto: | SOT-23 | Tensione di Scolo-fonte: | 50V |
Corrente continua dello scolo: | 0.22A | Dissipazione di potere: | 0.35W |
Applicazioni: | Driver: relè, solenoidi, lampade, martelli, display, memorie, transistor, ecc. | Caratteristiche: | Robusto e affidabile |
Evidenziare: | Mosfets del transistor del campo BSS138,Mosfets del transistor del campo 0.22A,Mosfet di Manica di 0.35W N |
Parametro | Simbolo | Valore | Unità | ||||||||||||||||||||||||||||||
Tensione di Scolo-fonte | VDS | 50 | V | ||||||||||||||||||||||||||||||
Tensione continua di Portone-fonte | VGSS | ±20 | |||||||||||||||||||||||||||||||
Corrente continua dello scolo | Identificazione | 0,22 | |||||||||||||||||||||||||||||||
Dissipazione di potere | Palladio | 0,35 | W | ||||||||||||||||||||||||||||||
Resistenza termica dalla giunzione ad ambientale | RθJA | 357 | ℃/W | ||||||||||||||||||||||||||||||
Temperatura di funzionamento | Tj | 150 | ℃ | ||||||||||||||||||||||||||||||
Temperatura di stoccaggio | Tstg | -55 ~+150 |
Parametro | Simbolo | Condizione di prova | Min | Tipo | Massimo | Unità | ||||||||||||||||||||||||||||
Fuori dalle caratteristiche | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
tensione di ripartizione di Scolo-fonte | V (BR) DSS | VGS = 0V, IDENTIFICAZIONE =250µA | 50 | V | ||||||||||||||||||||||||||||||
perdita del Portone-corpo | IGSS | VDS =0V, VGS =±20V | ±100 | Na | ||||||||||||||||||||||||||||||
Corrente zero dello scolo di tensione del portone | IDSS | VDS =50V, VGS =0V | 0,5 | µA | ||||||||||||||||||||||||||||||
VDS =30V, VGS =0V | 100 | Na | ||||||||||||||||||||||||||||||||
Sulle caratteristiche | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
tensione della Portone-soglia (nota 1) | VGS (Th) | VDS =VGS, IDENTIFICAZIONE =1MA | 0,80 | 1,50 | V | |||||||||||||||||||||||||||||
Su resistenza statica di scolo-fonte (nota 1) | RDS (sopra) | VGS =10V, IDENTIFICAZIONE =0.22A | 3,50 | Ω | ||||||||||||||||||||||||||||||
VGS =4.5V, IDENTIFICAZIONE =0.22A | 6 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
Transconduttanza di andata (nota 1) | gFS | VDS =10V, IDENTIFICAZIONE =0.22A | 0,12 | S | ||||||||||||||||||||||||||||||
Caratteristiche dinamiche (nota 2) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
Capacità introdotta | Ciss | VDS =25V, VGS =0V, f=1MHz | 27 | PF | ||||||||||||||||||||||||||||||
Capacità di uscita | Coss | 13 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
Capacità inversa di trasferimento | Crss | 6 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
Caratteristiche di commutazione | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
Tempo di ritardo d'apertura (nota 1,2) | il TD (sopra) | VDD =30V, VDS =10V, IDENTIFICAZIONE =0.29A, RGEN =6Ω | 5 | NS | ||||||||||||||||||||||||||||||
Tempo di aumento (nota 1,2) | TR | 18 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
Tempo di ritardo di giro-fuori (nota 1,2) | il TD (fuori) | 36 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
Tempo di caduta (nota 1,2) | tf | 14 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
caratteristiche di diodo del corpo di Scolo-fonte | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
Tensione di andata del diodo del corpo (nota 1) | VSD | È =0.44A, VGS = 0V | 1,4 | V |