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Luogo di origine: | La CINA |
---|---|
Marca: | Huixin |
Certificazione: | ISO9001, ISO4001, IATF16949, UL |
Numero di modello: | BSS138K |
Quantità di ordine minimo: | 3000pcs |
Prezzo: | Negotiable |
Imballaggi particolari: | 3000pcs/bobina |
Tempi di consegna: | 4-5weeks |
Termini di pagamento: | T/T, MoneyGram |
Capacità di alimentazione: | 1 miliardo pezzi di mese |
Tipo: | N-Manica di BSS138K | materiale: | Silicio |
---|---|---|---|
Pacchetto: | SOT-23 | Tensione di Scolo-fonte: | 50V |
Corrente continua dello scolo: | 0.22A | Dissipazione di potere: | 0.35W |
MPQ: | 3000pcs | Caratteristiche: | Robusto e affidabile |
Evidenziare: | MOSFET di potere del silicio 0.22A,MOSFET di potere del silicio 0.35W,MOSFET di Manica di BSS138K N |
Parametro | Simbolo | Limite | Unità | ||||||||||
Tensione di Scolo-fonte | VDS | 50 | V | ||||||||||
Tensione di Portone-fonte | VGS | ±20 | V | ||||||||||
Vuoti Corrente-continuo | Identificazione | 0,22 | |||||||||||
Scolo Corrente-pulsato (nota 1) | IDM | 0,88 | |||||||||||
Dissipazione di potere massima | Palladio | 0,35 | W | ||||||||||
Gamma di temperature di funzionamento di stoccaggio e della giunzione | TJ, TSTG | -55 - 150 | ℃ |
Parametro | Simbolo | Circostanza | Min | Tipo | Massimo | Unità | |||||||
Fuori dalle caratteristiche | |||||||||||||
Tensione di ripartizione di Scolo-fonte | BVDSS | IDENTIFICAZIONE =250ΜA DI VGS =0V | 50 | 65 | - | V | |||||||
Corrente zero dello scolo di tensione del portone | IDSS | VDS =50V, VGS =0V | - | - | 1 | μA | |||||||
Corrente di perdita del Portone-corpo | IGSS | VGS =±10V, VDS =0V | - | ±110 | ±500 | Na | |||||||
VGS =±12V, VDS =0V | - | ±0.3 | ±10 | uA | |||||||||
Sulle caratteristiche (nota 3) | |||||||||||||
Tensione della soglia del portone | VGS (Th) | VDS =VGS, IDENTIFICAZIONE =250ΜA | 0,6 | 1,1 | 1,6 | V | |||||||
Resistenza dello Su stato di Scolo-fonte | RDS (SOPRA) | VGS =5V, IDENTIFICAZIONE =0.2A | - | 1,3 | 3 | Ω | |||||||
VGS =10V, IDENTIFICAZIONE =0.22A | - | 1 | 2 | Ω | |||||||||
Transconduttanza di andata | gFS | VDS =10V, IDENTIFICAZIONE =0.2A | 0,2 | - | - | S | |||||||
Caratteristiche dinamiche (Note4) | |||||||||||||
Capacità introdotta | Clss | VDS =25V, VGS =0V, F=1.0MHz | - | 30 | - | PF | |||||||
Capacità di uscita | Coss | - | 15 | - | PF | ||||||||
Capacità inversa di trasferimento | Crss | - | 6 | - | PF | ||||||||
Caratteristiche di commutazione (nota 4) | |||||||||||||
Tempo di ritardo d'apertura | il TD (sopra) | VDD =30V, IDENTIFICAZIONE =0.22A VGS =10V, RGEN =6Ω | - | - | 5 | NS | |||||||
Tempo di aumento d'apertura | TR | - | - | 5 | NS | ||||||||
Tempo di ritardo di giro-Fuori | il TD (fuori) | - | - | 60 | NS | ||||||||
Tempo di caduta di giro-Fuori | tf | - | - | 35 | NS | ||||||||
Tassa totale del portone | Qg | VDS =25V, IDENTIFICAZIONE =0.2A, VGS =10V |
- | - | 2,4 | nC | |||||||
Caratteristiche di diodo di Scolo-fonte | |||||||||||||
Tensione di andata del diodo (nota 3) | VSD | VGS =0V, È =0.22A | - | - | 1,3 | V | |||||||
Corrente di andata del diodo (nota 2) | È | - | - | 0,22 |