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Luogo di origine: | La Cina |
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Marca: | Huixin |
Certificazione: | ISO14001 ISO9001 ISO/TS16949 UL |
Numero di modello: | RB520S-30 SOD-523 |
Quantità di ordine minimo: | 3000 pezzi |
Prezzo: | Negotiable |
Imballaggi particolari: | 3000pcs/reel/box |
Tempi di consegna: | 2-quattro settimane |
Termini di pagamento: | T/T, Paypal, contanti |
Capacità di alimentazione: | 1 miliardo pezzi di mese |
Tipo: | diodo di barriera di 30V Schottky | Pacchetto: | SOD-523 |
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Tipo del pacchetto: | diodo di superficie del supporto | Tempo del campione: | 5-7 giorni |
Max. Forward Current: | 200mA | Tensione inversa massima: | 30v |
IFSM: | 1A | VF: | 0.6V |
Evidenziare: | Diodo planare epitassiale del raddrizzatore al silicio,diodo del raddrizzatore al silicio 200mA,diodi di barriera di 30V Schottky |
Diodo di barriera planare epitassiale di Schottky del silicio RB520S-30
Questi diodi di barriera di Schottky sono progettati per le applicazioni, la protezione di circuito e la pressione di commutazione high−speed di tensione. Estremamente - la tensione di andata bassa riduce la perdita della conduzione. Il pacchetto di superficie miniatura del supporto è eccellente per hand−held e le applicazioni portatili dove lo spazio è limitato.
Per rettifica a corrente debole e le applicazioni di commutazione ad alta velocità.
RB520S-30 SOD523 Datasheet.pdf
Valutazioni alla temperatura ambiente 25°C salvo specificazione contraria.
Parametro
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Simbolo
|
Valore
|
Unità
|
Tensione inversa
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VR
|
30
|
V
|
Corrente di rettifica media
|
SE (AVOIRDUPOIS)
|
200
|
mA
|
Punta di corrente di andata di punta
|
IFSM
|
1
|
|
Temperatura di giunzione
|
TJ
|
125
|
℃
|
Tensione di andata a SE = 200 mA
|
VF
|
0,6
|
V
|
Nota: Il maneggio di prodotti sensibile di ESD ha richiesto.